Кремний карбидинин керамикасы жогорку температурага бышык, жогорку температурадагы кычкылданууга туруктуу, жакшы эскирүүгө туруктуу, жакшы жылуулук туруктуулугу, жылуулук кеңейүүсүнүн кичине коэффициенти, жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгү, жогорку катуулук, жылуулук соккусуна туруктуулук, химиялык коррозияга туруктуулук жана башка эң сонун касиеттерге ээ. Ал автомобиль, механикалаштыруу, айлана-чөйрөнү коргоо, аэрокосмостук технологиялар, маалымат электроникасы, энергетика жана башка тармактарда кеңири колдонулуп, көптөгөн өнөр жай тармактарында эң сонун көрсөткүчтөргө ээ болгон алмаштыргыс структуралык керамикага айланды. Эми мен сизге көрсөтөйүн!
Басымсыз бышыруу
Басымсыз бышыруу SiC бышыруу үчүн эң келечектүү ыкма катары каралат. Бышыруунун ар кандай механизмдерине ылайык, басымсыз бышыруу катуу фазалуу бышыруу жана суюк фазалуу бышыруу болуп бөлүнөт. Өтө майда β-A аркылуу SiC порошогуна бир эле учурда B жана C керектүү өлчөмдө кошулган (кычкылтектин курамы 2% дан аз), ал эми s. proehazka 2020 ℃ температурада тыгыздыгы 98% дан жогору болгон SiC бышыруу денесине бышыруу жүргүзүлгөн. А. Мулла жана башкалар Al2O3 жана Y2O3 кошулмалар катары колдонулуп, 1850-1950 ℃ температурада 0,5 μm β-SiC үчүн бышыруу жүргүзүлгөн (бөлүкчөлөрдүн бетинде аз өлчөмдө SiO2 бар). Алынган SiC керамикасынын салыштырмалуу тыгыздыгы теориялык тыгыздыктын 95% дан жогору, ал эми данчаларынын өлчөмү кичинекей жана орточо өлчөмдө. Ал 1,5 микронду түзөт.
Ысык пресстөө
Таза SiC эч кандай агломерациялык кошулмаларсыз өтө жогорку температурада гана компакттуу түрдө агломерацияланышы мүмкүн, ошондуктан көптөгөн адамдар SiC үчүн ысык пресстөө менен агломерациялоо процессин колдонушат. SiCди агломерациялоочу каражаттарды кошуу менен ысык пресстөө менен агломерациялоо жөнүндө көптөгөн билдирүүлөр болгон. Аллиегро жана башкалар бордун, алюминийдин, никельдин, темирдин, хромдун жана башка металл кошулмаларынын SiC тыгыздалышына тийгизген таасирин изилдешкен. Жыйынтыктар көрсөткөндөй, алюминий жана темир SiC ысык пресстөөнү күчөтүү үчүн эң натыйжалуу кошулмалар болуп саналат. FFlange ысык пресстелген SiCдин касиеттерине ар кандай өлчөмдөгү Al2O3 кошуунун таасирин изилдеген. Ысык пресстелген SiCдин тыгыздалышы эрүү жана чөкмө механизмине байланыштуу деп эсептелет. Бирок, ысык пресстөө процесси жөнөкөй формадагы SiC бөлүктөрүн гана чыгара алат. Бир жолку ысык пресстөө менен агломерациялоо процесси менен өндүрүлгөн продукциянын саны өтө аз, бул өнөр жай өндүрүшүнө ыңгайлуу эмес.
Ысык изостатикалык пресстөө менен бышыруу
Салттуу бышыруу процессинин кемчиликтерин жоюу үчүн кошумча катары В жана С тибиндеги бышыруулар колдонулуп, ысык изостатикалык пресстөө менен бышыруу технологиясы кабыл алынган. 1900°C температурада тыгыздыгы 98ден жогору болгон майда кристаллдык керамика алынган жана бөлмө температурасында ийилүү күчү 600 МПага жетиши мүмкүн. Ысык изостатикалык пресстөө менен бышыруу татаал формадагы жана жакшы механикалык касиеттерге ээ тыгыз фазалуу продукцияларды чыгара алса да, бышыруу герметикалык болушу керек, бул өнөр жай өндүрүшүнө жетүү кыйын.
Реакциялык синтез
Реакциялык синтерленген кремний карбиди, ошондой эле өзүн-өзү байланыштырган кремний карбиди деп да аталат, бул тешиктүү даярдама газ же суюк фаза менен реакцияга кирип, даярдамалардын сапатын жакшыртуу, тешиктүүлүгүн азайтуу жана белгилүү бир күч жана өлчөмдүк тактык менен синтерленген даяр продукцияларды алуу процессин билдирет. α-SiC порошогу менен графит белгилүү бир пропорцияда аралаштырылып, болжол менен 1650 ℃ чейин ысытылып, төрт бурчтуу даярдама пайда болот. Ошол эле учурда, ал газ түрүндөгү Si аркылуу даярдамага кирип же кирип, графит менен реакцияга кирип, β-SiC пайда кылат, ал эми α-SiC бөлүкчөлөрү бар. Si толугу менен инфильтрацияланганда, толук тыгыздыкка жана кичирейбеген өлчөмдөгү реакциялык синтерленген денени алууга болот. Башка синтерлөө процесстери менен салыштырганда, тыгыздаштыруу процессинде реакциялык синтерлөөнүн өлчөмүнүн өзгөрүшү аз жана так өлчөмдөгү продукцияны даярдоого болот. Бирок, синтерленген денеде көп өлчөмдөгү SiC болушу реакциялык синтерленген SiC керамикасынын жогорку температуралык касиеттерин начарлатат.
Жарыяланган убактысы: 2022-жылдын 8-июну