1. Ширетүүчү
W ширетүү үчүн 3000 ℃ төмөн температурадагы бардык түрдөгү ширетүүчүлөр колдонулушу мүмкүн, ал эми жез же күмүш негизиндеги ширетүүчүлөр 400 ℃ төмөн температурадагы компоненттер үчүн колдонулушу мүмкүн; 400 ℃ жана 900 ℃ аралыгында колдонулган компоненттер үчүн алтын негизиндеги, марганец негизиндеги, марганец негизиндеги, палладий негизиндеги же бургу негизиндеги толтургуч металлдар көбүнчө колдонулат; 1000 ℃ жогору колдонулган компоненттер үчүн көбүнчө Nb, Ta, Ni, Pt, PD жана Mo сыяктуу таза металлдар колдонулат. Платина негизиндеги ширетүү менен ширетилген компоненттердин иштөө температурасы 2150 ℃ жеткен. Эгерде ширетүүдөн кийин 1080 ℃ диффузиялык иштетүү жүргүзүлсө, максималдуу иштөө температурасы 3038 ℃ жетиши мүмкүн.
w ширетүү үчүн колдонулган ширетүүчүлөрдүн көпчүлүгү Mo ширетүү үчүн колдонулушу мүмкүн, ал эми жез же күмүш негизиндеги ширетүүчүлөр 400 ℃ төмөн иштеген Mo компоненттери үчүн колдонулушу мүмкүн; 400 ~ 650 ℃ температурада иштеген электрондук түзүлүштөр жана структуралык эмес бөлүктөр үчүн Cu Ag, Au Ni, PD Ni же Cu Ni ширетүүчүлөрүн колдонсо болот; жогорку температурада иштеген компоненттер үчүн титан негизиндеги же жогорку эрүү температурасы бар башка таза металл толтургуч металлдарды колдонсо болот. Ширетүү муундарында морт аралык металл кошулмаларынын пайда болушун болтурбоо үчүн марганец негизиндеги, кобальт негизиндеги жана никель негизиндеги толтургуч металлдарды колдонуу сунушталбай турганын белгилей кетүү керек.
TA же Nb компоненттери 1000 ℃ төмөн колдонулганда, жез негизиндеги, марганец негизиндеги, кобальт негизиндеги, титан негизиндеги, никель негизиндеги, алтын негизиндеги жана палладий негизиндеги инъекцияларды, анын ичинде Cu Au, Au Ni, PD Ni жана Pt Au_Ni жана CuSn ширеткичтерин тандап алса болот, алар TA жана Nbге жакшы нымдалууга, жакшы ширетүүчү тигиш түзүүгө жана жогорку муун бекемдигине ээ. Күмүш негизиндеги толтургуч металлдар ширетүүчү металлдарды морт кылууга жакын болгондуктан, аларды мүмкүн болушунча колдонуудан алыс болуу керек. 1000 ℃ жана 1300 ℃ ортосунда колдонулган компоненттер үчүн, алар менен чексиз катуу жана суюк заттарды түзгөн таза Ti, V, Zr металлдары же ушул металлдардын негизиндеги эритмелер ширетүүчү толтургуч металлдар катары тандалышы керек. Кызмат температурасы жогору болгондо, HF камтыган толтургуч металлды тандаса болот.
W. Mo, Ta жана Nb үчүн толтургуч металлдарды жогорку температурада ширетүү үчүн 13-таблицаны караңыз.
13-таблица Отко чыдамдуу металлдарды жогорку температурада ширетүү үчүн ширетүүчү толтургуч металлдар
2. Ширетүү технологиясы
Ширетүүдөн мурун, отко чыдамдуу металлдын бетиндеги кычкыл катмарын кылдаттык менен кетирүү керек. Механикалык майдалоо, кум менен тазалоо, ультраүн менен тазалоо же химиялык тазалоо колдонулушу мүмкүн. Ширетүү тазалоо процессинен кийин дароо жүргүзүлөт.
W бөлүктөрү сынуудан сактануу үчүн компоненттерди чогултуу операциясында кылдаттык менен каралышы керек. Морт вольфрам карбидинин пайда болушуна жол бербөө үчүн, W менен графиттин ортосундагы түз байланыштан алыс болуу керек. Ширетүүдөн мурун ширетүү же ширетүүдөн улам алдын ала чыңалуу жок кылынышы керек. Температура көтөрүлгөндө W оңой эле кычкылданат. Ширетүү учурунда вакуумдук даража жетиштүү жогору болушу керек. Ширетүү 1000 ~ 1400 ℃ температура диапазонунда жүргүзүлгөндө, вакуумдук даража 8 × 10-3Pa кем болбошу керек. Кайра эритүү температурасын жана муундун иштөө температурасын жакшыртуу үчүн, ширетүү процессин ширетүүдөн кийинки диффузиялык иштетүү менен айкалыштырса болот. Мисалы, b-ni68cr20si10fel ширетүүсү W ны 1180 ℃ температурада ширетүү үчүн колдонулат. Ширетүүдөн кийин 1070 ℃ / 4 саат, 1200 ℃ / 3,5 саат жана 1300 ℃ / 2 саат үч диффузиялык иштетүүдөн кийин, ширетилген муундун иштөө температурасы 2200 ℃ден жогору жетиши мүмкүн.
Мо менен ширетилген муундарды чогултууда жылуулук кеңейүүнүн кичине коэффициентин эске алуу керек, ал эми муундун аралыгы 0,05 ~ 0,13 мм чегинде болушу керек. Эгерде арматура колдонулса, жылуулук кеңейүүнүн кичине коэффициенти бар материалды тандаңыз. Мо кайра кристаллдашуу жалын менен ширетүү, башкарылуучу атмосфералык меш, вакуумдук меш, индукциялык меш жана каршылык менен жылытуу кайра кристаллдашуу температурасынан ашып кеткенде же ширетүүчү элементтердин диффузиясынан улам кайра кристаллдашуу температурасы төмөндөгөндө пайда болот. Ошондуктан, ширетүү температурасы кайра кристаллдашуу температурасына жакын болгондо, ширетүү убактысы канчалык кыска болсо, ошончолук жакшы. Мо кайра кристаллдашуу температурасынан жогору ширетүү учурунда, өтө тез муздатуудан улам жарака кетпеши үчүн ширетүү убактысын жана муздатуу ылдамдыгын көзөмөлдөө керек. Оксиацетилен жалын менен ширетүү колдонулганда, аралаш флюсту, башкача айтканда, жакшы коргоону камсыз кыла турган өнөр жай борат же күмүш ширетүү флюсу жана кальций фториди камтылган жогорку температуралуу флюсту колдонуу идеалдуу. Бул ыкма алгач Mo бетине күмүш ширетүү флюсунун катмарын каптоодон турат, андан кийин жогорку температурадагы флюс капталат. Күмүш ширетүү флюсу төмөнкү температура диапазонунда активдүү болот жана жогорку температурадагы флюстун активдүү температурасы 1427 ℃ чейин жетиши мүмкүн.
TA же Nb компоненттери вакуум астында ширетилгени жакшы, жана вакуумдук даражасы 1,33 × 10-2Pa кем эмес. Эгерде ширетүү инерттүү газдын коргоосу астында жүргүзүлсө, көмүртек кычкылы, аммиак, азот жана көмүр кычкыл газы сыяктуу газ кошулмалары катуу алынып салынышы керек. Шайкештирүү же каршылык менен ширетүү абада жүргүзүлгөндө, атайын ширетүү толтургуч металл жана тиешелүү флюс колдонулушу керек. TA же Nb жогорку температурада кычкылтек менен байланышпашы үчүн, бетине металл жез же никель катмарын каптап, тиешелүү диффузиялык күйгүзүү иштетүүсүн жүргүзүүгө болот.
Жарыяланган убактысы: 2022-жылдын 13-июну